г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPD70R600P7SAUMA1 Infineon Technologies

Артикул
IPD70R600P7SAUMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3, N-Channel 700 V 8.5A (Tc) 43W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Цена
181 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPD70R600P7SAUMA1.jpg
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
PG-TO252-3
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
364 pF @ 400 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
CoolMOS™ P7
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.5A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IPD70R600P7SAUMA1CT,IPD70R600P7SAUMA1TR,SP001491636,IPD70R600P7SAUMA1DKR
Standard Package
2,500
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IPD70R600
Power Dissipation (Max)
43W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IGCM04F60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MODULE IGBT 600V 4A 24PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 4 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: IRLMS1503TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6, N-Channel 30 V 3.2A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Подробнее
Артикул: AUIRFB8407
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB, N-Channel 40 V 195A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FP35R12W2T4BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 54A 215W, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 54 A 215 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFB4410PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 88A TO220AB, N-Channel 100 V 88A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BUP213
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 32A 200W TO220, IGBT - 1200 V 32 A 200 W Through Hole TO-220AB
Подробнее