г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPN70R450P7SATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IPN70R450P7SATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 700V 10A SOT223, N-Channel 700 V 10A (Tc) 7.1W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Цена
172 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPN70R450P7SATMA1.jpg
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Supplier Device Package
PG-SOT223
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 120µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
424 pF @ 400 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
CoolMOS™ P7
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IPN70R450P7SATMA1TR,SP001664926,IPN70R450P7SATMA1-ND,INFINFIPN70R450P7SATMA1,2156-IPN70R450P7SATMA1,IPN70R450P7SATMA1CT,IPN70R450P7SATMA1DKR
Standard Package
3,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IPN70R450
Power Dissipation (Max)
7.1W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFB260NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 56A TO220AB, N-Channel 200 V 56A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSM75GB120DN2HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MEDIUM POWER 34MM, IGBT Module
Подробнее
Артикул: BF5030WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: FET RF 8V 800MHZ SOT343, RF Mosfet N-Channel 3 V 10 mA 800MHz 24dB - SOT-343
Подробнее
Артикул: IRFU3910
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK, N-Channel 100 V 16A (Tc) 79W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: IRL3705NSPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK, N-Channel 55 V 89A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRL7833PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 150A TO220AB, N-Channel 30 V 150A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее