г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPP060N06NAKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IPP060N06NAKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 17A/45A TO220-3, N-Channel 60 V 17A (Ta), 45A (Tc) 3W (Ta), 83W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Цена
324 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPP060N06NAKSA1.jpg
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
PG-TO220-3
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 36µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 30 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
OptiMOS™
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
17A (Ta), 45A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IPP060N06N,IFEINFIPP060N06NAKSA1,SP000917402,IPP060N06N-ND,2156-IPP060N06NAKSA1
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IPP060
Power Dissipation (Max)
3W (Ta), 83W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCR141E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.25W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: BSC0501NSIATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON, N-Channel 30 V 29A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее
Артикул: IRFR6215PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK, P-Channel 150 V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IDH06SG60CXKSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2-1, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 6A (DC) Through Hole PG-TO220-2-1
Подробнее
Артикул: FF400R17KE4EHOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1700V 400A, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700 V 400 A Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFH4210DTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 44A PQFN, N-Channel 25 V 44A (Ta) 3.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Подробнее