г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPP060N06NAKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IPP060N06NAKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 17A/45A TO220-3, N-Channel 60 V 17A (Ta), 45A (Tc) 3W (Ta), 83W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Цена
324 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPP060N06NAKSA1.jpg
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
PG-TO220-3
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 36µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 30 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
OptiMOS™
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
17A (Ta), 45A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IPP060N06N,IFEINFIPP060N06NAKSA1,SP000917402,IPP060N06N-ND,2156-IPP060N06NAKSA1
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IPP060
Power Dissipation (Max)
3W (Ta), 83W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPD70R360P7SAUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3, N-Channel 700 V 12.5A (Tc) 59.4W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRG7PH46UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 130A 469W TO247AC, IGBT Trench 1200 V 130 A 469 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BAV199E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23, Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 80 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее
Артикул: IRGS14C40LTRLP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 430V 20A TO263AB, IGBT - 430 V 20 A 125 W Surface Mount TO-263AB
Подробнее
Артикул: SPB10N10LG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 100 V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: IPD80R900P7ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3, N-Channel 800 V 6A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее