г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPP80R360P7XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IPP80R360P7XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 800V 13A TO220-3, N-Channel 800 V 13A (Tc) 84W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Цена
541 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPP80R360P7XKSA1.jpg
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
PG-TO220-3
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 280µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
930 pF @ 500 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
CoolMOS™ P7
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IFEINFIPP80R360P7XKSA1,SP001633518,2156-IPP80R360P7XKSA1
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IPP80R360
Power Dissipation (Max)
84W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLR8103V
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 91A DPAK, N-Channel 30 V 91A (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IPW60R099C6FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3, N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BSC034N03LSGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 22A/100A TDSON, N-Channel 30 V 22A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Подробнее
Артикул: IRFSL4410ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 97A TO262, N-Channel 100 V 97A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: AUIRF1010ZL
Бренд: Infineon Technologies
Описание: AUIRF1010 - 55V-60V N-CHANNEL AU, N-Channel 55 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IDH06G65C6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 16A (DC) Through Hole PG-TO220-2
Подробнее