г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPW60R280C6 Infineon Technologies

Артикул
IPW60R280C6
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3, N-Channel 600 V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Цена
234 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPW60R280C6.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 430µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
950 pF @ 100 V
FET Feature
-
Supplier Device Package
PG-TO247-3-41
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Series
CoolMOS™ C6
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
Other Names
2156-IPW60R280C6,IFEINFIPW60R280C6
Standard Package
1
Power Dissipation (Max)
104W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7703
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 6A 8TSSOP, P-Channel 40 V 6A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Подробнее
Артикул: IRFB3307
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB, N-Channel 75 V 130A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IKW25N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 50A 326W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 326 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRG7PK35UD1-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1400V 40A 167W TO247AD, IGBT - 1400 V 40 A 167 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IMBG120R045M1HXTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263, N-Channel 1200 V 47A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
Подробнее
Артикул: IRFR120ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK, N-Channel 100 V 8.7A (Tc) 35W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее