г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF3415STRLPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF3415STRLPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK, N-Channel 150 V 43A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Цена
424 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF3415STRLPBF.jpg
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
D2PAK
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2400 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
43A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRF3415STRLPBFCT,SP001553944,IRF3415STRLPBFDKR,IRF3415STRLPBFTR,IRF3415STRLPBF-ND
Standard Package
800
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRF3415
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 200W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FS35R12KT3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 55A 210W, IGBT Module - Full Bridge Inverter 1200 V 55 A 210 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRL8113
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 105A TO220AB, N-Channel 30 V 105A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BAT6406WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT323, Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 40 V 120mA Surface Mount SC-70, SOT-323
Подробнее
Артикул: IRF5210L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 40A TO262, P-Channel 100 V 40A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IRG4PH20KPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 11A TO247AC, IGBT - 1200 V 11 A 60 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: SPW16N50C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SPW16N50 - 500V COOLMOS N-CHANNE,
Подробнее