г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF3710ZPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF3710ZPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB, N-Channel 100 V 59A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
308 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF3710ZPBF.jpg
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2900 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRF3710ZPBF,2156-IRF3710ZPBF,SP001564400
Standard Package
100
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRF3710
Power Dissipation (Max)
160W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRAM136-3023B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC INTEGRATD PWR HYBRID 30A 150V, Power Driver Module MOSFET 3 Phase 150 V 30 A 22-PowerSIP Module, 18 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRFHM8326TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 25A PQFN, N-Channel 30 V 19A (Ta) 2.8W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount
Подробнее
Артикул: BAT2402LSE6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSSLP-2, RF Diode Schottky - Single 4V 110 mA 100 mW PG-TSSLP-2-1
Подробнее
Артикул: IPD60R180P7SAUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3, N-Channel 600 V 18A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IKZ50N65EH5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 50A CO-PACK TO-247-4, IGBT Trench 650 V 85 A 273 W Through Hole PG-TO247-4
Подробнее
Артикул: IRF3305
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB, N-Channel 55 V 75A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее