г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF3710ZPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF3710ZPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB, N-Channel 100 V 59A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
308 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF3710ZPBF.jpg
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2900 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRF3710ZPBF,2156-IRF3710ZPBF,SP001564400
Standard Package
100
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRF3710
Power Dissipation (Max)
160W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPD78CN10NGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3, N-Channel 100 V 13A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRF9362TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFR5410PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK, P-Channel 100 V 13A (Tc) 66W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRAM136-3063B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC HYBRID PWR 30A 600V RES SIP3, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 30 A 22-PowerSIP Module, 18 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRF3711Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 92A TO220AB, N-Channel 20 V 92A (Tc) 79W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SPB03N60S5
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее