г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF540ZPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF540ZPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB, N-Channel 100 V 36A (Tc) 92W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
231 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF540ZPBF.jpg
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26.5mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1770 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRF540ZPBF,SP001561896
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRF540
Power Dissipation (Max)
92W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IKZA50N65RH5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: INDUSTRY 14, IGBT Trench Field Stop 650 V 80 A 305 W Through Hole PG-TO247-4-3
Подробнее
Артикул: AUIRF4104
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 75A TO220, N-Channel 40 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: BCR133WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: SPI07N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRG7PH35UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 55A 210W TO247AC, IGBT Trench 1200 V 55 A 210 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFS7434-7PPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK, N-Channel 40 V 240A (Tc) 245W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее