г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF5800 Infineon Technologies

Артикул
IRF5800
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 30V 4A MICRO6, P-Channel 30 V 4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Цена
84 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF5800.jpg
Supplier Device Package
Micro6™(TSOP-6)
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
535 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
100
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Power Dissipation (Max)
2W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IGW25T120FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 50A TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1200 V 50 A 190 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BFS483H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6, RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 65mA 8GHz 450mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: IRFH5007TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 17A/100A 8PQFN, N-Channel 75 V 17A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: IKW30N60T
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW30N60 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее
Артикул: IPP023N10N5AKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3, N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: DD435N36KHPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE MODULE GP 3600V 573A, Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 3600 V 573A Chassis Mount Module
Подробнее