IRF5810 Infineon Technologies
Артикул
IRF5810
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.9A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/IRF5810.jpg
Supplier Device Package
6-TSOP
REACH Status
REACH Unaffected
Power - Max
960mW
FET Type
2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 16V
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
RoHS Status
RoHS non-compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.9A
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
100
Mounting Type
Surface Mount
FET Feature
Logic Level Gate
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут