г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF5851 Infineon Technologies

Артикул
IRF5851
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N/PCH 20V 2.7A/2.2A 6TSOP, Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.7A, 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Цена
91 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/IRF5851.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Power - Max
960mW
FET Type
N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.7A, 2.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 15V
Standard Package
100
HTSUS
8541.21.0095
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package
6-TSOP
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
Logic Level Gate

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IMW120R030M1HXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3, N-Channel 1200 V 56A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: IRFP140NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 33A TO247AC, N-Channel 100 V 33A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: SPP20N60S5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: HIGH POWER_LEGACY, N-Channel 600 V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: BFN27E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PNP 300V 0.2A SOT-23, Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 200 mA 100MHz 360 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: SPD03N60C3BTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK, N-Channel 650 V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Подробнее
Артикул: MMBT3906LT1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 200 mA 250MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее