г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF6216PBF Infineon Technologies

Артикул
IRF6216PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO, P-Channel 150 V 2.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Цена
174 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF6216PBF.jpg
Supplier Device Package
8-SO
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1280 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001576900,2156-IRF6216PBF,INFINFIRF6216PBF
Standard Package
3,800
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRAMX16UP60B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC PWR HYBRID 600V 16A 23PWRSIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 16 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: BFR193FH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3, RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-TSFP-3
Подробнее
Артикул: IRG4IBC20KD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 11.5A 34W TO220FP, IGBT - 600 V 11.5 A 34 W Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: BCR133WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IRFB3607PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB, N-Channel 75 V 80A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IAUC100N08S5N043ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34, N-Channel 80 V 100A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
Подробнее