г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF6216PBF Infineon Technologies

Артикул
IRF6216PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO, P-Channel 150 V 2.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Цена
174 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF6216PBF.jpg
Supplier Device Package
8-SO
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1280 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001576900,2156-IRF6216PBF,INFINFIRF6216PBF
Standard Package
3,800
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FS25R12KE3GBOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 40A 145W, IGBT Module - Full Bridge 1200 V 40 A 145 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRG4PC20UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 13A 60W TO247AC, IGBT - 600 V 13 A 60 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFP3703PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 210A TO247AC, N-Channel 30 V 210A (Tc) 3.8W (Ta), 230W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IGP20N60H3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGP20N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT, IGBT
Подробнее
Артикул: IPP60R090CFD7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3, N-Channel 600 V 25A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: BSZ058N03MSG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BSZ058N03 - 12V-300V N-CHANNEL P,
Подробнее