IRF7106 Infineon Technologies
Артикул
IRF7106
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 20V 3A, 2.5A 2W Surface Mount 8-SO
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/IRF7106.jpg
Supplier Device Package
8-SO
REACH Status
REACH Unaffected
Power - Max
2W
FET Type
N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 15V
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3A, 2.5A
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
95
Mounting Type
Surface Mount
FET Feature
Standard
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут