г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7301PBF Infineon Technologies

Артикул
IRF7301PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.2A 2W Surface Mount 8-SO
Цена
177 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/IRF7301PBF.jpg
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
REACH Status
REACH Unaffected
Power - Max
2W
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 15V
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Base Product Number
IRF7301PBF
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.2A
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001571442,2156-IRF7301PBF,INFINFIRF7301PBF
Standard Package
3,800
Mounting Type
Surface Mount
FET Feature
Logic Level Gate

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: AUIRGP35B60PD-E
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 60A 308W TO247AD, IGBT NPT 600 V 60 A 308 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IRF7530TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.4A 1.3W Surface Mount Micro8™
Подробнее
Артикул: IHW30N135R3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1350V 60A 349W TO247-3, IGBT Trench 1350 V 60 A 349 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: SPD03N60S5
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IPA65R190CFDXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220, N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-111
Подробнее
Артикул: IRF6665
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET, N-Channel 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SH
Подробнее