г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7343TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF7343TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 55V 4.7A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
Цена
207 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/IRF7343TRPBF.jpg
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
REACH Status
REACH Unaffected
Power - Max
2W
FET Type
N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
740pF @ 25V
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Base Product Number
IRF7343
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.7A, 3.4A
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001565516,IRF7343PBFCT,IRF7343PBFTR,*IRF7343TRPBF,IRF7343PBFDKR
Standard Package
4,000
Mounting Type
Surface Mount
FET Feature
Standard

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSM75GB120DN2HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 105A 625W, IGBT Module - Half Bridge 1200 V 105 A 625 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BCR133SH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363-6, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: IRF7205PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO, P-Channel 30 V 4.6A (Ta) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF5806
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 4A MICRO6, P-Channel 20 V 4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Подробнее
Артикул: SPD18P06PGBTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3, P-Channel 60 V 18.6A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IPSA70R360P7SAKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3, N-Channel 700 V 12.5A (Tc) 59.5W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Подробнее