г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7406TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF7406TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO, P-Channel 30 V 5.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Цена
196 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF7406TRPBF.jpg
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.8A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRF7406TRPBFTR-ND,IRF7406PBFCT,IRF7406PBFTR,*IRF7406TRPBF,IRF7406TRPBF-ND,SP001554244,IRF7406PBFDKR
Standard Package
4,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRF7406
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BFR193FH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3, RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-TSFP-3
Подробнее
Артикул: IGW75N60TFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH/FS 600V 150A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 150 A 428 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: SIHB33N60E-GE3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V D2PAK,
Подробнее
Артикул: IRL3705NSTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK, N-Channel 55 V 89A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: SPN04N60S5
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 800MA SOT223-4, N-Channel 600 V 800mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: IRL1404ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB, N-Channel 40 V 75A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее