г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7509TR Infineon Technologies

Артикул
IRF7509TR
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8, Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.7A, 2A 1.25W Surface Mount Micro8™
Цена
148 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/IRF7509TR.jpg
Package / Case
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Supplier Device Package
Micro8™
REACH Status
REACH Unaffected
Power - Max
1.25W
FET Type
N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
210pF @ 25V
RoHS Status
RoHS non-compliant
Base Product Number
IRF7509
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.7A, 2A
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRF7509CT,IRF7509DKR,*IRF7509TR,IRF7509
Standard Package
4,000
Mounting Type
Surface Mount
FET Feature
Logic Level Gate

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF6636
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET, N-Channel 20 V 18A (Ta), 81A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Подробнее
Артикул: IRF7820PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO, N-Channel 200 V 3.7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IPW60R070P6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET,, N-Channel 600 V 53.5A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRAMS06UP60B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: PWR MOD 600V 6A 23PWRSIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 6 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IKW75N65EH5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3, IGBT Trench 650 V 90 A 395 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IGW40N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 80A 483W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 483 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее