г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7739L2TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF7739L2TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET, N-Channel 40 V 46A (Ta), 375A (Tc) 3.8W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF7739L2TRPBF.jpg
Supplier Device Package
DirectFET™ Isometric L8
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1mOhm @ 160A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
330 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
11880 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
DirectFET™ Isometric L8
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
46A (Ta), 375A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRF7739L2TRPBFTR,IRF7739L2TRPBFCT,IRF7739L2TRPBFDKR,IRF7739L2TRPBF-ND,SP001559996
Standard Package
4,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 125W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLI540N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB FP, N-Channel 100 V 23A (Tc) 54W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: BCW65C
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRGS6B60KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 13A 90W D2PAK, IGBT NPT 600 V 13 A 90 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BSS127H6327XTSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3, N-Channel 600 V 21mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRF5802
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6, N-Channel 150 V 900mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Подробнее
Артикул: IRF3315PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 23A TO220AB, N-Channel 150 V 23A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее