г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFB4019PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFB4019PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 150V 17A TO220AB, N-Channel 150 V 17A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
322 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFB4019PBF.jpg
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
800 pF @ 50 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
-
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
2156-IRFB4019PBF-448,SP001572370
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRFB4019
Power Dissipation (Max)
80W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCR146
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: BSC026NE2LS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON, N-Channel 25 V 24A (Ta), 82A (Tc) 2.5W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: IRFR5505TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK, P-Channel 55 V 18A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: FP40R12KT3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 55A 210W, IGBT Module - Three Phase Inverter 1200 V 55 A 210 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRF6614TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET, N-Channel 40 V 12.7A (Ta), 55A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Подробнее
Артикул: BAS70-04E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BAS70 - HIGH SPEED SWITCHING, CL, Diode Array
Подробнее