г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFB7540PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFB7540PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 110A TO220, N-Channel 60 V 110A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220
Цена
289 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFB7540PBF.jpg
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.1mOhm @ 65A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4555 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®, StrongIRFET™
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001563988,2156-IRFB7540PBF,IFEINFIRFB7540PBF
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRFB7540
Power Dissipation (Max)
160W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPW47N60C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 47A TO247-3, N-Channel 650 V 47A (Tc) 415W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRL3715S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK, N-Channel 20 V 54A (Tc) 3.8W (Ta), 71W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BCR112E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 140 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: BAR9002ELSE6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 80V 250MW TSSLP-2, RF Diode PIN - Single 80V 100 mA 250 mW PG-TSSLP-2-3
Подробнее
Артикул: IRFHS9301TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN, P-Channel 30 V 6A (Ta), 13A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Подробнее
Артикул: IRLR3715Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 49A DPAK, N-Channel 20 V 49A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее