IRFH4255DTRPBF Infineon Technologies
Артикул
IRFH4255DTRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 64A, 105A 31W, 38W Surface Mount PQFN (5x6)
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/IRFH4255DTRPBF.jpg
Package / Case
8-PowerVDFN
Supplier Device Package
PQFN (5x6)
REACH Status
REACH Unaffected
Power - Max
31W, 38W
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1314pF @ 13V
Base Product Number
IRFH4255
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
64A, 105A
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001575678,IRFH4255DTRPBFCT,IRFH4255DTRPBFTR,IRFH4255DTRPBFDKR
Standard Package
4,000
Mounting Type
Surface Mount
FET Feature
Logic Level Gate
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут