г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFH5250DTRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFH5250DTRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 25V 40A/100A 8PQFN, N-Channel 25 V 40A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Цена
341 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFH5250DTRPBF.jpg
Package / Case
8-PowerVDFN
Supplier Device Package
8-PQFN (5x6)
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6115 pF @ 13 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
40A (Ta), 100A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRFH5250DTRPBF-ND,SP001577928,IRFH5250DTRPBFDKR,IRFH5250DTRPBFTR,IRFH5250DTRPBFCT
Standard Package
4,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRFH5250
Power Dissipation (Max)
3.6W (Ta), 156W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPI023NE7N3 G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3, N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Подробнее
Артикул: IRG7PSH73K10PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 1200V 220A SUPER247, IGBT Trench 1200 V 220 A 1150 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: IRFH5304TR2PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN, N-Channel 30 V 22A (Ta), 79A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: IRFR13N15DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK, N-Channel 150 V 14A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRF7410PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO, P-Channel 12 V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: FF400R17KE4EHOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1700V 400A, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700 V 400 A Chassis Mount Module
Подробнее