г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFH5302TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFH5302TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFN, N-Channel 30 V 32A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
Цена
210 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFH5302TRPBF.jpg
Other Names
IRFH5302TRPBFDKR,SP001575636,IRFH5302TRPBFCT,IRFH5302TRPBFTR,2156-IRFH5302TRPBF,IRFH5302TRPBF-ND,INFINFIRFH5302TRPBF
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
3.6W (Ta), 100W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4400 pF @ 15 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
IRFH5302
Mounting Type
Surface Mount
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerVDFN
Supplier Device Package
PQFN (5x6) Single Die
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
4,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPD50N03S4L06ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31, N-Channel 30 V 50A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Подробнее
Артикул: SPD15N06S2L-64
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3, N-Channel 55 V 19A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Подробнее
Артикул: IRF840PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB, N-Channel 500 V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRLZ44ZS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK, N-Channel 55 V 51A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BCR112E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 140 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IPD60R385CPATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3, N-Channel 600 V 9A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее