г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFHM9331TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFHM9331TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 30V 11A/24A PQFN, P-Channel 30 V 11A (Ta), 24A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount PQFN (3x3)
Цена
141 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFHM9331TRPBF.jpg
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PQFN (3x3)
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 11A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1543 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11A (Ta), 24A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRFHM9331TRPBF-ND,IFEINFIRFHM9331TRPBF,IRFHM9331TRPBFCT,2156-IRFHM9331TRPBF,IRFHM9331TRPBFTR,IRFHM9331TRPBFDKR,SP001556510
Standard Package
4,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRFHM9331
Power Dissipation (Max)
2.8W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPW65R041CFD7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 650V FET COOLMOS TO247, N-Channel 650 V 50A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRG7PH35UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 55A 210W TO247AC, IGBT Trench 1200 V 55 A 210 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IPD50R1K4CEAUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3, N-Channel 500 V 3.1A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IPA50R380CE
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220-FP, N-Channel 500 V 9.9A (Tc) 29.2W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IKW75N60H3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW75N60 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее
Артикул: IRF6721STRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET, N-Channel 30 V 14A (Ta), 60A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Подробнее