г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFL4105TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFL4105TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223, N-Channel 55 V 3.7A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Цена
172 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFL4105TRPBF.jpg
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Supplier Device Package
SOT-223
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
660 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRFL4105TRPBF-ND,IRFL4105TRPBFTR,SP001551996,IRFL4105TRPBFCT,INFIRFIRFL4105TRPBF,2156-IRFL4105TRPBFINF,IRFL4105TRPBFDKR
Standard Package
2,500
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRFL4105
Power Dissipation (Max)
1W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF1607
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 142A TO220AB, N-Channel 75 V 142A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRGP4062DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 48A 250W TO247AC, IGBT Trench 600 V 48 A 250 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BAR151E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 100V 250MW SOT23-3, RF Diode PIN - 1 Pair Common Cathode 100V 140 mA 250 mW PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRF8113
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO, N-Channel 30 V 17.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFSL3806PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 43A TO262, N-Channel 60 V 43A (Tc) 71W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: AUIRF7342Q
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 55V 3.4A 2W Surface Mount 8-SOIC
Подробнее