г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFL4310PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFL4310PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V SOT223, N-Channel 100 V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount -
Цена
34 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFL4310PBF.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package
-
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (Max)
±20V
FET Feature
-
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
REACH Status
REACH Unaffected
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Part Status
Obsolete
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
648037PBF,64-8037PBFTR,SP001562536,IRFL4310PBFINACTIVE,2156-IRFL4310PBF-ITTR,IRFL4310PBFCT,SP001578066,INFINFIRFL4310PBF,64-8037PBF,64-8037PBF-ND,IRFL4310PBFTR,IRFL4310PBF-ND,*IRFL4310PBF,64-8037PBFCT-ND,64-8037PBFTR-ND,64-8037PBFCT
Standard Package
2,500
Power Dissipation (Max)
1W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4BC20KDSTRLP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 16A 60W D2PAK, IGBT - 600 V 16 A 60 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRFS4310TRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK, N-Channel 100 V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: SKW15N60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: BAV99SH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT363, Diode Array 2 Pair Series Connection Standard 80 V 200mA (DC) Surface Mount 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Подробнее
Артикул: IRFU13N15D
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 14A IPAK, N-Channel 150 V 14A (Tc) 86W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: BAT5403WE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOT 30V 200MA SOD323-2, Diode Schottky 30 V 200mA (DC) Surface Mount PG-SOD323-2
Подробнее