г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFP1405PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFP1405PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 95A TO247AC, N-Channel 55 V 95A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AC
Цена
584 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFP1405PBF.jpg
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.3mOhm @ 95A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5600 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
95A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
64-6010PBF,SP001572614,64-6010PBF-ND,*IRFP1405PBF
Standard Package
25
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRFP1405
Power Dissipation (Max)
310W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FS225R12KE3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 325A 1150W, IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 1200 V 325 A 1150 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRDAKO705169
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOD MCM 600V 9999.000A SIP1,
Подробнее
Артикул: IDH20G65C6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 41A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 41A (DC) Through Hole PG-TO220-2
Подробнее
Артикул: IRF3205ZSTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK, N-Channel 55 V 75A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRFS17N20D
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK, N-Channel 200 V 16A (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRFP150N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC, N-Channel 100 V 42A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее