г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFP3306PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFP3306PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC, N-Channel 60 V 120A (Tc) 220W (Tc) Through Hole TO-247AC
Цена
572 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFP3306PBF.jpg
Other Names
2156-IRFP3306PBF,SP001564200,IFEINFIRFP3306PBF,AUXYBFP3306-ND,AUXYBFP3306
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
220W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4520 pF @ 50 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
IRFP3306
Mounting Type
Through Hole
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
25
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC009NE2LS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON, N-Channel 25 V 41A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: IRF5851TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP, Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.7A, 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Подробнее
Артикул: BCR133SH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363-6, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: IPB65R420CFD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: BAT15-099R
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MIXER DIODE, LOW BARRIER, X BAND, RF Diode
Подробнее
Артикул: AUIRFS8408
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK, N-Channel 40 V 195A (Tc) 294W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее