г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFP3703 Infineon Technologies

Артикул
IRFP3703
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 210A TO247AC, N-Channel 30 V 210A (Tc) 3.8W (Ta), 230W (Tc) Through Hole TO-247AC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFP3703.jpg
Supplier Device Package
TO-247AC
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 76A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
209 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8250 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-247-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Series
HEXFET®
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
210A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRFP3703
Standard Package
25
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 230W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IGCM20F60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 20A 24PWRDIP MOD, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 20 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: IRFSL3607PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 80A TO262, N-Channel 75 V 80A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IPW60R160C6FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3, N-Channel 600 V 23.8A (Tc) 176W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRLML2803TRPBF-1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23, N-Channel 30 V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее
Артикул: IRF8910PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRG4PC50FPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 70A 200W TO247AC, IGBT - 600 V 70 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее