г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFP4868PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFP4868PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IRFP4868 - 12V-300V N-CHANNEL PO, N-Channel 300 V 70A (Tc) 517W (Tc) Through Hole TO-247AC
Цена
589 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFP4868PBF.jpg
Drain to Source Voltage (Vdss)
300 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
10774 pF @ 50 V
FET Feature
-
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package
TO-247AC
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-IRFP4868PBF-448
Standard Package
1
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
Power Dissipation (Max)
517W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF520NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB, N-Channel 100 V 9.7A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SPA20N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-111, N-Channel 600 V 20.7A (Tc) 34.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-111
Подробнее
Артикул: IRGB14C40LPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 430V 20A TO220AB, IGBT - 430 V 20 A 125 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPD60R3K3C6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3, N-Channel 600 V 1.7A (Tc) 18.1W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRF6665
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET, N-Channel 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SH
Подробнее
Артикул: BSM75GB120DN2HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 105A 625W, IGBT Module - Half Bridge 1200 V 105 A 625 W Chassis Mount Module
Подробнее