г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFP4868PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFP4868PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IRFP4868 - 12V-300V N-CHANNEL PO, N-Channel 300 V 70A (Tc) 517W (Tc) Through Hole TO-247AC
Цена
589 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFP4868PBF.jpg
Drain to Source Voltage (Vdss)
300 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
10774 pF @ 50 V
FET Feature
-
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package
TO-247AC
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-IRFP4868PBF-448
Standard Package
1
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
Power Dissipation (Max)
517W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCR158
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: IRG4PC40FD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 49A 160W TO247AC, IGBT - 600 V 49 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: FS100R12KE3_B3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 140A 480W, IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200 V 140 A 480 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: FZ1800R12KL4C
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE, IGBT Module
Подробнее
Артикул: IHW40N60R
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: BAT60AE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 10V 3A SOD323-2, Diode Schottky 10 V 3A (DC) Surface Mount PG-SOD323-2
Подробнее