г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFPS3810PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFPS3810PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247, N-Channel 100 V 170A (Tc) 580W (Tc) Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Цена
825 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFPS3810PBF.jpg
Supplier Device Package
SUPER-247™ (TO-274AA)
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
390 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6790 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-274AA
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRFPS3810PBF,SP001566934
Standard Package
400
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
580W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGB30B60K
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 78A 370W TO220AB, IGBT NPT 600 V 78 A 370 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPP600N25N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3, N-Channel 250 V 25A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRFH3707TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN, N-Channel 30 V 12A (Ta), 29A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (3x3)
Подробнее
Артикул: BSC010NE2LSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON, N-Channel 25 V 39A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: BSS79C
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS NPN 40V 800MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 800 mA 250MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: IGW15T120
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGW15T120 - DISCRETE IGBT WITHOU, IGBT
Подробнее