г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFR220NPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFR220NPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK, N-Channel 200 V 5A (Tc) 43W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
164 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFR220NPBF.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
43W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
300 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Other Names
64-4116PBF-ND,64-4116PBF,INFINFIRFR220NPBF,SP001560574,2156-IRFR220NPBF
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFR2405PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK, N-Channel 55 V 56A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BCR133WH6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: IDW10G120C5BFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 17A Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: IRLB3813PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB, N-Channel 30 V 260A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFP7537PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 172A TO247, N-Channel 60 V 172A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-247
Подробнее
Артикул: BSP149H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4, N-Channel 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее