г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFR2905ZTRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFR2905ZTRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
227 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFR2905ZTRPBF.jpg
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1380 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRFR2905ZPBFCT,IRFR2905ZTRPBF-ND,IRFR2905ZPBFTR,IRFR2905ZTRPBFTR-ND,IRFR2905ZPBFDKR,SP001552100,*IRFR2905ZTRPBF
Standard Package
2,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRFR2905
Power Dissipation (Max)
110W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLL024NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223, N-Channel 55 V 3.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: SPW16N50C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 560V 16A TO247-3, N-Channel 560 V 16A (Tc) 160W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IPA60R299CP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 600V COOLMOS POWER TRANSISTOR,
Подробнее
Артикул: IRG4BC30FPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRG4BC30F - 600V FAST 1-8 KHZ DI, IGBT
Подробнее
Артикул: IRFL4310PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V SOT223, N-Channel 100 V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount -
Подробнее
Артикул: FF450R12KE4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 520A 2400W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 520 A 2400 W Chassis Mount Module
Подробнее