г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFR3707 Infineon Technologies

Артикул
IRFR3707
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK, N-Channel 30 V 61A (Tc) 87W (Tc) Surface Mount D-Pak
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFR3707.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
87W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1990 pF @ 15 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Other Names
*IRFR3707
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
75
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG7PH50U-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V ULTRA FAST TO247, IGBT Trench 1200 V 140 A 556 W Through Hole PG-TO247AD
Подробнее
Артикул: IRG4PC40UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 40A 160W TO247AC, IGBT - 600 V 40 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRAM136-1060B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC HYBRID PWR 10A 600V ADV SIP05, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: SGB10N60AATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 20A 92W TO263-3, IGBT NPT 600 V 20 A 92 W Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: IRGP4066D-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 600V 140A TO247AD, IGBT Trench 600 V 140 A 454 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: BSC034N10LS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON, N-Channel 100 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее