г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFR3707ZPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFR3707ZPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK, N-Channel 30 V 56A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
136 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFR3707ZPBF.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
50W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1150 pF @ 15 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Other Names
SP001567546
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
75
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLR2905Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRG8P60N120KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 100A 420W TO-247AC, IGBT - 1200 V 100 A 420 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRG7PH50K10DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 90A 400W TO247AC, IGBT - 1200 V 90 A 400 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BSG0810NDIATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 19A, 39A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
Подробнее
Артикул: IPD042P03L3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3, P-Channel 30 V 70A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRLHM620TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN, N-Channel 20 V 26A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
Подробнее