г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFR5305TRLPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK, P-Channel 55 V 31A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
243 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFR5305TRLPBF.jpg
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRFR5305TRLPBFTR,IRFR5305TRLPBFCT,IRFR5305TRLPBF-ND,SP001567854,IRFR5305TRLPBFDKR
Standard Package
3,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRFR5305
Power Dissipation (Max)
110W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF840PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB, N-Channel 500 V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BCR141W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: IRL520NS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK, N-Channel 100 V 10A (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRFI4228PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 34A TO220AB FP, N-Channel 150 V 34A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: IRFB33N15D
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 33A TO220AB, N-Channel 150 V 33A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BFR181WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3, RF Transistor NPN 12V 20mA 8GHz 175mW Surface Mount SOT-323
Подробнее