г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFR9120NTRLPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFR9120NTRLPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK, P-Channel 100 V 6.6A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
164 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFR9120NTRLPBF.jpg
Other Names
SP001576108,448-IRFR9120NTRLPBFDKR,IRFR9120NTRLPBF-ND,448-IRFR9120NTRLPBFCT,448-IRFR9120NTRLPBFTR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
40W (Tc)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
480mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
IRFR9120
Mounting Type
Surface Mount
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
3,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPD50N06S4L12ATMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31, N-Channel 60 V 50A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Подробнее
Артикул: IKW40N120CS6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 500 W Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: BSB017N03LX3 G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 32A/147A 2WDSON, N-Channel 30 V 32A (Ta), 147A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Подробнее
Артикул: IRF1104PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB, N-Channel 40 V 100A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BAT1502LRHE6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSLP2, RF Diode Schottky - Single 4V 110 mA 100 mW PG-TSLP-2-7
Подробнее
Артикул: IRLR3110ZTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK, N-Channel 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее