г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFS3004-7PPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFS3004-7PPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK, N-Channel 40 V 240A (Tc) 380W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Цена
854 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFS3004-7PPBF.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
380W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.25mOhm @ 195A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9130 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Other Names
SP001576246,IRFS30047PPBF
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-7, D?Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Supplier Device Package
D2PAK (7-Lead)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGBC30F
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT FAST 600V 31A TO-220AB, IGBT - 600 V 31 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SKW15N60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: BAT1504RE6152HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT23-3, RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 4V 110 mA PG-SOT23
Подробнее
Артикул: BC817-16
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS NPN 45V 800MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 800 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IPP034NE7N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3, N-Channel 75 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRFB38N20DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRFB38N20 - 12V-300V N-CHANNEL P, N-Channel 200 V 43A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее