г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFS4310TRLPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFS4310TRLPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK, N-Channel 100 V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Цена
825 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFS4310TRLPBF.jpg
Other Names
SP001552304,IRFS4310TRLPBFDKR,IRFS4310TRLPBFTR,IRFS4310TRLPBFCT,IRFS4310TRLPBF-ND
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7670 pF @ 50 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
IRFS4310
Mounting Type
Surface Mount
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
D2PAK
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
800
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BC808-40
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 25 V 800 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IDW40G120C5BFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 1200V 55A TO247-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 55A (DC) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: IPP60R125C6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3, N-Channel 600 V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRF7307TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 20V 5.2A, 4.3A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF7241
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 6.2A 8SO, P-Channel 40 V 6.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BSZ300N15NS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 32A TSDSON, N-Channel 150 V 32A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Подробнее