г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFS4310TRLPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFS4310TRLPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK, N-Channel 100 V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Цена
825 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFS4310TRLPBF.jpg
Other Names
SP001552304,IRFS4310TRLPBFDKR,IRFS4310TRLPBFTR,IRFS4310TRLPBFCT,IRFS4310TRLPBF-ND
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7670 pF @ 50 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
IRFS4310
Mounting Type
Surface Mount
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
D2PAK
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
800
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRL100HS121
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN, N-Channel 100 V 11A (Tc) 11.5W (Tc) Surface Mount 6-PQFN Dual (2x2)
Подробнее
Артикул: BSC123N08NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON, N-Channel 80 V 11A (Ta), 55A (Tc) 2.5W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: SPD06N80C3BTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3, N-Channel 800 V 6A (Ta) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Подробнее
Артикул: IRF3710PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB, N-Channel 100 V 57A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SPA08N50C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: BAS1602VH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 80V 200MA SC79-2, Diode Standard 80 V 200mA (DC) Surface Mount PG-SC79-2
Подробнее