г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFS4310ZPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFS4310ZPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK, N-Channel 100 V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
Цена
188 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFS4310ZPBF.jpg
Supplier Device Package
D2PAK
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6860 pF @ 50 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
2156-IRFS4310ZPBF-IT,INFINFIRFS4310ZPBF,AUXMAFS4310ZTRL,AUXMAFS4310ZTRL-ND,SP001557322
Standard Package
1,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
250W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCR133SH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363-6, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: AUIRF2804
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A TO220, N-Channel 40 V 195A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: IRG4PC40WPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 40A 160W TO247AC, IGBT - 600 V 40 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF9910
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A, 12A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IHW20N135R3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1350V 20A 310W TO247-3, IGBT Trench 1350 V 40 A 310 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IPI023NE7N3G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Подробнее