г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFS4310ZTRLPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFS4310ZTRLPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK, N-Channel 100 V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
Цена
551 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFS4310ZTRLPBF.jpg
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
D2PAK
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6860 pF @ 50 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001557376,IRFS4310ZTRLPBFDKR,IRFS4310ZTRLPBFCT,IRFS4310ZTRLPBFTR
Standard Package
800
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRFS4310
Power Dissipation (Max)
250W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFI4229PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 19A TO220AB, N-Channel 250 V 19A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPP052NE7N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3, N-Channel 75 V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: BAS70-07W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SCHOTTKY DIODE - HIGH SPEED SWIT, Diode Array 2 Independent Schottky 70 V 70mA (DC) Surface Mount SC-82A, SOT-343
Подробнее
Артикул: IPP110N20NAAKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3, N-Channel 200 V 88A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IKZ50N65EH5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 50A CO-PACK TO-247-4, IGBT Trench 650 V 85 A 273 W Through Hole PG-TO247-4
Подробнее
Артикул: BAT6203WE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 100MW SOD323, RF Diode Schottky - Single 40V 20 mA 100 mW PG-SOD323-2
Подробнее