г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFTS8342TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFTS8342TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP, N-Channel 30 V 8.2A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Цена
96 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFTS8342TRPBF.jpg
Package / Case
SOT-23-6
Supplier Device Package
6-TSOP
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
560 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.2A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRFTS8342TRPBFCT,IRFTS8342TRPBFTR,SP001552394,IRFTS8342TRPBFDKR
Standard Package
3,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRFTS8342
Power Dissipation (Max)
2W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IGW40T120FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 75A TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1200 V 75 A 270 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRLI520NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220AB FP, N-Channel 100 V 8.1A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: SPN04N60S5
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 800MA SOT223-4, N-Channel 600 V 800mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: D921S45TXPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 4.5KV 1630A, Diode Standard 4500 V 1630A Chassis Mount -
Подробнее
Артикул: IRFR120NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK, N-Channel 100 V 9.4A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRGS4062DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 48A 250W D2PAK, IGBT Trench 600 V 48 A 250 W Surface Mount D2PAK
Подробнее