г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFZ24N Infineon Technologies

Артикул
IRFZ24N
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 17A TO-220AB, N-Channel 55 V 17A (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
384 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFZ24N.jpg
Other Names
2266-IRFZ24N,IRFZ24N-ND,SP001557866,*IRFZ24N,IRFZ24NIR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
370 pF @ 25 V
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
50
HTSUS
8541.29.0095
Series
HEXFET®
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP65R660CFDAAKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3, N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: AUIRF2804S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK, N-Channel 40 V 195A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BDP954H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: AF TRANSISTORS, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 3 A 100MHz 5 W Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: BAR6406E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 150V 250MW SOT23-3, RF Diode PIN - 1 Pair Common Anode 150V 100 mA 250 mW PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IPB033N10N5LFATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3, N-Channel 100 V 120A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: FF6MR12KM1PHOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MEDIUM POWER 62MM, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 250A (Tc) - Chassis Mount AG-62MM
Подробнее