г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFZ44ES Infineon Technologies

Артикул
IRFZ44ES
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK, N-Channel 60 V 48A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Цена
369 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFZ44ES.jpg
Supplier Device Package
D2PAK
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1360 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
48A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRFZ44ES
Standard Package
50
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
110W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC009NE2LS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON, N-Channel 25 V 41A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: BSM50GD120DN2G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 78A 400W, IGBT Module - Full Bridge 1200 V 78 A 400 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRF640NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB, N-Channel 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRGPS40B120UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 80A 595W SUPER247, IGBT NPT 1200 V 80 A 595 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: BAT15099E6433HTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT143-4, RF Diode Schottky - 2 Independent 4V 110 mA 100 mW PG-SOT-143-3D
Подробнее
Артикул: IRLS4030PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK, N-Channel 100 V 180A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее