г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4BC20UD-S Infineon Technologies

Артикул
IRG4BC20UD-S
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 13A 60W D2PAK, IGBT - 600 V 13 A 60 W Surface Mount D2PAK
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4BC20UD-S.jpg
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
13 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
52 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 6.5A
Power - Max
60 W
Switching Energy
160µJ (on), 130µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
27 nC
Td (on/off) @ 25°C
39ns/93ns
Test Condition
480V, 6.5A, 50Ohm, 15V
REACH Status
REACH Unaffected
Supplier Device Package
D2PAK
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRG4BC20UD-S
Standard Package
50
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Reverse Recovery Time (trr)
37 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC019N04LSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON, N-Channel 40 V 27A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: IRF9952TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BSM50GD120DN2BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 72A 350W, IGBT Module - Full Bridge 1200 V 72 A 350 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFI1010NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB FP, N-Channel 55 V 49A (Tc) 58W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: BDP953H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS NPN 100V 3A SOT223, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 100MHz 5 W Surface Mount PG-SOT223-4-10
Подробнее
Артикул: BCR133E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее