г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4BC20UD-S Infineon Technologies

Артикул
IRG4BC20UD-S
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 13A 60W D2PAK, IGBT - 600 V 13 A 60 W Surface Mount D2PAK
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4BC20UD-S.jpg
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
13 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
52 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 6.5A
Power - Max
60 W
Switching Energy
160µJ (on), 130µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
27 nC
Td (on/off) @ 25°C
39ns/93ns
Test Condition
480V, 6.5A, 50Ohm, 15V
REACH Status
REACH Unaffected
Supplier Device Package
D2PAK
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRG4BC20UD-S
Standard Package
50
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Reverse Recovery Time (trr)
37 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSS84PWH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BSS84 - SMALL SIGNAL FIELD-EFFEC, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IPA95R1K2P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 950V 6A TO220, N-Channel 950 V 6A (Tc) 27W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: SPD07N20
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 7A TO252-3, N-Channel 200 V 7A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRFR3707Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 56A DPAK, N-Channel 30 V 56A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BAT1704E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT23-3, RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 4V 130 mA 150 mW PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRFU3910
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK, N-Channel 100 V 16A (Tc) 79W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее