г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4IBC30UDPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG4IBC30UDPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 17A 45W TO220FP, IGBT - 600 V 17 A 45 W Through Hole TO-220AB Full-Pak
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4IBC30UDPBF.jpg
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
17 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
68 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 12A
Power - Max
45 W
Switching Energy
380µJ (on), 160µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
50 nC
Td (on/off) @ 25°C
40ns/91ns
Test Condition
480V, 12A, 23Ohm, 15V
REACH Status
REACH Unaffected
Supplier Device Package
TO-220AB Full-Pak
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001540446,*IRG4IBC30UDPBF
Standard Package
2,000
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Reverse Recovery Time (trr)
42 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7105TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 25V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: FP75R12KT3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 105A 355W, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 105 A 355 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRL1404ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB, N-Channel 40 V 75A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BAR6405E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 150V 250MW SOT23-3, RF Diode PIN - 1 Pair Common Cathode 150V 100 mA 250 mW PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRFZ46Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB, N-Channel 55 V 51A (Tc) 82W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFU3910
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK, N-Channel 100 V 16A (Tc) 79W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее