г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4IBC30UDPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG4IBC30UDPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 17A 45W TO220FP, IGBT - 600 V 17 A 45 W Through Hole TO-220AB Full-Pak
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4IBC30UDPBF.jpg
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
17 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
68 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 12A
Power - Max
45 W
Switching Energy
380µJ (on), 160µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
50 nC
Td (on/off) @ 25°C
40ns/91ns
Test Condition
480V, 12A, 23Ohm, 15V
REACH Status
REACH Unaffected
Supplier Device Package
TO-220AB Full-Pak
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001540446,*IRG4IBC30UDPBF
Standard Package
2,000
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Reverse Recovery Time (trr)
42 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BGX50AE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BRIDGE RECT 1P 70V 140MA SOT143, Bridge Rectifier Single Phase Standard 70 V Surface Mount PG-SOT-143-3D
Подробнее
Артикул: IPP020N08N5AKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3, N-Channel 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRFB3806PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 43A TO220AB, N-Channel 60 V 43A (Tc) 71W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BCR112E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 140 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRFPS3810PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247, N-Channel 100 V 170A (Tc) 580W (Tc) Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: IRGB4062DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 600V 48A TO220AB, IGBT Trench 600 V 48 A 250 W Through Hole TO-220AB
Подробнее