г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4P254S Infineon Technologies

Артикул
IRG4P254S
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 250V 98A 200W TO247AC, IGBT - 250 V 98 A 200 W Through Hole TO-247AC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4P254S.jpg
Other Names
*IRG4P254S
Test Condition
200V, 55A, 5Ohm, 15V
Power - Max
200 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
250 V
Current - Collector (Ic) (Max)
98 A
IGBT Type
-
Current - Collector Pulsed (Icm)
196 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.5V @ 15V, 55A
Switching Energy
380µJ (on), 3.5mJ (off)
Gate Charge
200 nC
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
25
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Td (on/off) @ 25°C
40ns/270ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCW61C
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 32 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount SOT-23
Подробнее
Артикул: FS35R12KT3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: FS35R12 - IGBT MODULE, IGBT Module
Подробнее
Артикул: BSP296NH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4, N-Channel 100 V 1.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: FF600R12KE4BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 600A, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 600 A Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IPG20N06S2L-35AATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRGS30B60KPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 78A 370W D2PAK, IGBT NPT 600 V 78 A 370 W Surface Mount D2PAK
Подробнее