г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4PC30SPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG4PC30SPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 34A 100W TO247AC, IGBT - 600 V 34 A 100 W Through Hole TO-247AC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4PC30SPBF.jpg
Other Names
SP001544804,*IRG4PC30SPBF
Test Condition
480V, 18A, 23Ohm, 15V
Power - Max
100 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
34 A
IGBT Type
-
Current - Collector Pulsed (Icm)
68 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.6V @ 15V, 18A
Switching Energy
260µJ (on), 3.45mJ (off)
Gate Charge
50 nC
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
400
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Td (on/off) @ 25°C
22ns/540ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BAT6202VH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V SC79-2, Diode Schottky 40 V 20mA (DC) Surface Mount PG-SC79-2-1
Подробнее
Артикул: IPP037N08N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3, N-Channel 80 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IPW60R090CFD7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3, N-Channel 600 V 25A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: BCW60C
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 32 V 100 mA 125MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: IPD082N10N3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3, N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRF1010Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB, N-Channel 55 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее