г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4PH20KPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG4PH20KPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 11A TO247AC, IGBT - 1200 V 11 A 60 W Through Hole TO-247AC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4PH20KPBF.jpg
Other Names
INFINFIRG4PH20KPBF,*IRG4PH20KPBF,SP001540532,2156-IRG4PH20KPBF
Test Condition
960V, 5A, 50Ohm, 15V
Power - Max
60 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
11 A
IGBT Type
-
Current - Collector Pulsed (Icm)
22 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
4.3V @ 15V, 5A
Switching Energy
450µJ (on), 440µJ (off)
Gate Charge
28 nC
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
400
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Td (on/off) @ 25°C
23ns/93ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SGP15N120XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 30A 198W TO220-3, IGBT NPT 1200 V 30 A 198 W Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: BAT6804E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT23-3, RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 8V 130 mA 150 mW PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IPW65R280E6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 650 V COOLMOS E6 POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IDH06S60CAKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 6A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: IRFL4105PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223, N-Channel 55 V 3.7A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: IRF7509TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8, Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.7A, 2A 1.25W Surface Mount Micro8™
Подробнее