г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4PH30K Infineon Technologies

Артикул
IRG4PH30K
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 20A 100W TO247AC, IGBT - 1200 V 20 A 100 W Through Hole TO-247AC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4PH30K.jpg
Other Names
*IRG4PH30K
Test Condition
960V, 10A, 23Ohm, 15V
Power - Max
100 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
IGBT Type
-
Current - Collector Pulsed (Icm)
40 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
4.2V @ 15V, 10A
Switching Energy
640µJ (on), 920µJ (off)
Gate Charge
53 nC
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
25
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Td (on/off) @ 25°C
28ns/200ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC009NE2LS5IATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON, N-Channel 25 V 40A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: AUIRFZ48Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 61A TO220, N-Channel 55 V 61A (Tc) 91W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: IRFZ44NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB, N-Channel 55 V 49A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFH5025TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 3.8A 8PQFN, N-Channel 250 V 3.8A (Ta) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: IDW10G120C5BFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 17A Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: IRG4PC50UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 55A 200W TO247AC, IGBT - 600 V 55 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее